Логотип


Схемы источников питания

материалы в категории

ШИМ-регулятор на операционном усилителе

Достоинства  ШИМ-регуляторов с применением операционных усилителей так это то что можно применять практически любой ОУ (в типовой схеме включения, конечно).

 

ШИМ-регулятор на операционном усилителе схема

Уровень выходного эффективного напряжения регулируется путём изменения уровня напряжения  на  неинвертирующем  входе ОУ, что позволяет  использовать схему как составную часть различных регуляторов напряжения и тока, а также  схем с плавным зажиганием и гашением ламп накаливания. 
Схема легка в повторении, не содержит редких элементов и при исправных элементах начинает работать сразу, без настройки. Силовой полевой транзистор подбирается по току нагрузки, но для уменьшения  тепловой рассеиваемой мощности желательно использовать транзисторы, рассчитанные на большой ток, т.к. у них наименьшее сопротивление  в открытом состоянии. 
Площадь радиатора  для полевого транзистора полностью определяется выбором его типа  и током нагрузки .  Если схема будет использоваться  для регулирования напряжения  в  бортовых сетях + 24В,  для предотвращения пробоя затвора полевого транзистора, между коллектором транзистора 
VT1 и затвором VT2 следует включить резистор сопротивлением 1 К, а  резистор R6  зашунтировать любым подходящим стабилитроном на 15 В, остальные элементы схемы  не изменяются.


Во всех ранее рассмотренных схемах  в качестве  силового полевого транзистора используются   n- канальные транзисторы, как наиболее распространённые и имеющие наилучшие характеристики. 

Если требуется  регулировать напряжение на нагрузке, один из выводов которой подключен к "массе" , то  используются схемы, в которых  -канальный полевой транзистор  подключается стоком к + источника питания, а в цепи истока включается нагрузка.

 

ШИМ регулятор на операционном усилителе схема

Для обеспечения  возможности полного открытия полевого транзистора  схема  управления должна содержать  узел повышения напряжения  в цепях управления  затвором  до 27 - 30 В, как это сделано в специализированных микросхемах U6080B ... U6084B L9610,  L9611,  тогда между затвором и истоком  будет напряжение не менее 15 В.  Если ток нагрузки не превышает 10А, можно использовать силовые полевые   p- канальные транзисторы, ассортимент которых  гораздо уже  из - за технологических причин.  В схеме изменяется и тип транзистора VT1,  а регулировочная характеристика R7 меняется на обратную. Если  у первой схемы увеличение напряжения управления  (движок переменного резистора перемещается  к  " +"  источника питания) вызывает уменьшение выходного  напряжения на нагрузке, то у второй схемы эта зависимость обратная.  Если от конкретной схемы требуется инверсная от исходной зависимость  выходного напряжения от входного, то в схемах  необходимо поменять структуру транзисторов VT1, т.е транзистор VT1  в первой схеме необходимо подключить как VT1  у второй схемы и наоборот.

Автор Кравцов В.Н. http://kravitnik.narod.ru
Обсудить на форуме

Почта сайта