Логотип

Наши каналы в социальных сетях

Усилитель 300 Ватт Иштвана Урбана на четырех парах HEXFET

категория Схемы усилителей  материалы в категории * Подкатегория Схемы усилителей на транзисторах

Усилитель 300 Ватт Иштвана Урбана на четырех парах HEXFET

Усилитель Иштвана Урбана (на рисунке) построен на четырех парах полевых транзисторов HEXFET. Схемотехника классическая :

  • с токовым зеркалом (Т2, ТЗ) в качестве нагрузки первого дифкаска-да (Т4, Т5);
  • с активными генераторами тока (Т13, Т8);
  • с каскодным усилителем напряжения (Тб, Т7).

Усилитель дополнен оригинальным каскадом на ОУ IC1, который для звуковых частот является повторителем напряжения (100%-ная местная ООС через С4). Поэтому он не входит в петлю общей ООС УМЗЧ, но, в то же время, через резистор R15 замыкает петлю ООС по постоянному току и зорко следит за нулем на выходе УМЗЧ.

На ІС2, терморезисторе R30 и транзисторах Т1, Т14 выполнена схема автоматического приглушения (MUTING), срабатывающая при перегреве выходных транзисторов.

На нагрузке 4 Ом усилитель развивает постоянную синусоидальную мощность 225 Вт и пиковую 300 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,1% во всем звуковом диапазоне частот.

Источник: Книга  Лучшие конструкции УНЧ и сабвуферов своими руками Сухов Н. Е.

Почта сайта