Усилитель 350 Ватт на полевых  транзисторах HEXFET

категория Схемы усилителей материалы в категории * Подкатегория Схемы усилителей на транзисторах

Карел Бартон построил свой High-End УМЗЧ (на рисунке ниже) на полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET фирмы International Rectifier). Входные каскады выполнены на дискретных биполярных транзисторах с использованием симметричной дифференциально-каскодной схемотехники (Т1—Т12) с активными генераторами тока (Т14, Т16, Т18,

Т19). Благодаря этому практически устранены проявления нелинейности, связанные с зависимостью коэффициента передачи и емкостей р-п-переходов от тока коллектора и напряжения коллектор-база.

Схема усилителя на полевых транзисторах HEXFET

Высокая эффективность термостабилизации режимов мощных полевых транзисторов достигнута благодаря применению в качестве датчика температуры полевого транзистора Т22. За «нулем» по постоянному току на выходе следит специальный каскад на ОУ 101.

На нагрузке 4 Ом усилитель развивает номинальную мощность 350 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,05% в диапазоне частот 20 Гц — 20 кГц, неравномерности АЧХ не более 1 дБ в диапазоне от 2 Гц до 350 кГц, отношении сигнал/шум 110 дБ, коэффициенте демпфирования на частоте 1 кГц не менее 400, скорости нарастания выходного напряжения 400 В/мкс и максимальном импульсном выходном токе 150 А.

Источник: Книга Лучшие конструкции УНЧ и сабвуферов своими руками  Сухов Н. Е.