Логотип

К148УН2

Описание, параметры, схема включения

Категория Микросхемы отечественные

Микросхема представляет собой усилитель мощности низкой частоты с выходной мощностью 1 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом. Корпус типа 311.10-1, масса не более 23 г.

Типовая схема включения

Назначение выводов:
1,9 — корпус; 2 — обратная связь; 3 — вход; 4,10 — коррекция;
5 — фильтр; 6 — вывод; 7 — напряжение питания (+Uп); 8 — выход;
Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания 9 Вplus minus 10 %
2 Выходное напряжение при Uп=9 В, f = 1 кГц, Rн=4 Ом more or equally 1,8 В
3 Ток потребления при Uп= 9 В, Rн= 4 Ом less or equally 10 мА
4 Выходная мощность при Rн= 4 Ом more or equally 1 Вт
5 Коэффициент усиления напряжения
при Uп=9 В, Rн= 4 Ом, f = 1 кГц, Uвх= 50 мВ
10…30
6 Коэффициент гармоник
при Pвых= 0,8 Вт,Uвых= 1,8 В
при Pвых= 1 Вт,Uвых= 2 В
less or equally 2 %
less or equally 10 %
7 Входное сопротивление
при Uп=9 В, Uвх= 50 мВ, f=1 кГц, Rн= 4 Ом
more or equally 10 кОм
8 Верхняя граничная частота more or equally 20 кГц
9 Нижняя граничная частота less or equally 100 Гц

Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение питания
в предельном режиме
plus minus (8,1…9,9) В
plus minus (6…10,5) В
2 Входное напряжение
в предельном режиме
40…180 мВ
less or equaly 1 В
3 Выходной ток (амплитудное значение)
в предельном режиме
less or equaly 700 мА
less or equaly 0,8 А
4 Сопротивление нагрузки
в предельном режиме
more or equaly 4 Ом
more or equaly 3,2 Ом
5 Допустимое значение статического потенциала 200 В
6 Температура основания корпуса (в предельном режиме) +125 ° C
7 Температура окружающей среды -45…+70 ° C

Рекомендации по применению

При эксплуатации ИС корпус должен быть заземлен. Микросхемы необходимо использовать с теплоотводом. При этом контактирующие поверхности рекомендуется смазывать теплоотводящей пастой (например, КПТ-8)
Микросхема крепится к плате винтами за основание корпуса. Расстояние от места пайки выводов микросхемы до корпуса 0,5…1 мм.
Конденсатор С4 подбирается в пределах 6,2…100 пФ для устранения возбуждения

Источник:

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1999г. — 640с.:ил.

 

 

 

Почта сайта