К148УН1
Описание, параметры, схема включения
Категория Микросхемы отечественные
Микросхема К148УН1- усилитель мощности низкой частоты с выходной мощностью 1 Вт при сопротивлении нагрузки 30 Ом. Корпус типа 311.8-2, масса не более 23 г.
Типовая схема включения
Электрические параметры
1 | Номинальное напряжение питания | 12 В 10 % |
2 | Выходное напряжение при Uп=26,4 В, f = 1 кГц, Rн=30 Ом | 4 В |
3 | Ток потребления при Uп= 12 В, Rн= 30 Ом | 25 мА |
4 | Выходная мощность при Rн= 30 Ом | 1 Вт |
5 | Коэффициент усиления напряжения при Uп= 12 В, Rн= 30 Ом, f = 1 кГц, Uвх= 10 мВ |
100…200 |
6 | Коэффициент гармоник при Pвых= 1 Вт, Uп= 12 В, Uвых= 5,5 В, Rн= 30 Ом f= 1 кГц f= 0,1 и 10 кГц |
2,5 % |
7 | Нестабильность коэффициента усиления при Uп= 12 В, Uвх= 10 мВ, f=1 кГц, Rн= 30 Ом |
0,7…1,3 |
8 | Входное сопротивление при Uп= 12 В, Uвх= 10 мВ, f=1 кГц, Rн= 30 Ом |
10 кОм |
9 | Верхняя граничная частота | 20 кГц |
10 | Нижняя граничная частота | 30 Гц |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
1 | Напряжение питания в предельном режиме |
(10,8…13,2) В (9…14) В |
2 | Входное напряжение в предельном режиме |
20…60 мВ 1 В |
3 | Выходной ток (амплитудное значение) в предельном режиме |
260 мА 300 мА |
4 | Сопротивление нагрузки в предельном режиме |
30 Ом 26 Ом |
5 | Допустимое значение статического потенциала | 200 В |
6 | Температура основания корпуса (в предельном режиме) | +125 ° C |
7 | Температура окружающей среды | -45…+70 ° C |
Рекомендации по применению
При эксплуатации ИС корпус должен быть заземлен. Микросхемы необходимо использовать с теплоотводом. При этом контактирующие поверхности рекомендуется смазывать теплоотводящей пастой (например, КПТ-8)
Микросхема крепится к плате винтами за основание корпуса. Расстояние от места пайки выводов микросхемы до корпуса 0,5…1 мм.
При работе с однополярным источником питания рекомендуется применять сглаживающий RC-фильтр по питанию с постоянной времени не менее 20 мкс. При этом на вывод 3 допускается подавать максимальное напряжение питания 30 В без входного сигнала
Конденсатор С7 подбирается в пределах 6,2…100 пФ для устранения возбуждения
Источник:
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1999г. — 640с.:ил.