К174УН4
Схема включения, параметры
Категория
Микросхемы К174УН4А и К174УН4Б являются усилителями мощности низкой частоты (УНЧ), с выходной мощность до 1 Вт на нагрузку 4 Ом.
Предназначена для применения в переносных телевизорах и радиоприемниках. Функциональный аналог микросхемы TAA300 .
Содержат 32 интегральных элемента. Конструктивно оформлены в корпусе типа 201.9-1. Масса не более 1,5 гр.
Внешний вид корпусов показан на рисунках:
Назначение выводов
1 - коррекция Icc выходных транзисторов
2 - обратная связь
3 - теплоотвод
4 - вход
5 - фильтр
6 - вольтодобавка
7 - питание +Uи.п.
8 - выход
9 - общий - Uи.п.
Структурная (внутренняя) схема
Схема включения
Электрические параметры
| ═ 1 ═ | ═ Номинальное напряжение питания | ═ 9 В ╠ 10% | |
| ═ 2 | ═ Ток потребления при Uп = 9 В, Uвх = 0 В | 10 мА | |
| ═ 3 | ═ Коэффициент усиления при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Uвх = 0,1 В | ═ 4...40 | |
| ═ 4 ═ |
═ Нестабильность коэффициента усиления напряжения при ═ Uп = 9 В, fвх = 1 кГц, Т=+25...+55╟С |
═ 20 % | |
| ═ 5 ═ ═ |
═ Коэффициент гармоник при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц: ═ К174УН4А при Рвых = 1,0 Вт, Uвых = 2,0 В ═ К174УН4Б при Рвых = 0,7 Вт, Uвых = 1,7 В |
═ 2 % ═ 2 % |
|
| ═ 6 | ═ Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц | ═ 10 кОм | |
| ═ 7 ═ ═ |
═ Выходная мощность при Uп = 9 В, Rн = 4 Ома, Кг 2 % : ═ К174УН4А ═ К174УН4Б |
═ ═ 1,0 Вт ═ 0,7 Вт |
|
| ═ 8 | ═ Диапазон рабочих частот при Uп = 9 В | ═ 30...20 000 Гц ═ | |
| ═ 9 ═ ═ ═ |
═ Коэффициент полезного действия при Uп = 9 В, Rн = 4 Ома: ═ К174УН4А при Pвых = 1,0 Вт ═ К174УН4Б при Pвых = 0,7 Вт |
═ ═ 50 % ═ 35 % |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| ═ 1 ═ |
═ Напряжение питания: ═ в предельном режиме: |
═ 8,1...9,9 В ═ 5,4...10 В |
|
| ═ 2 ═ ═ ═ ═ |
═ Выходное напряжение: ═ К174УН4А ═ в предельном режиме ═ К174УН4Б ═ в предельном режиме |
═ ═ 2,0 В ═ 2,25 В ═ 1,7 В ═ 1,87 В |
|
| ═ 4 ═ ═ ═ ═ |
═ Амплитуда тока в нагрузке: ═ К174УН4А ═ в предельном режиме ═ К174УН4Б ═ в предельном режиме |
═ ═ 840 мА ═ 900 мА ═ 710 мА ═ 750 мА |
|
| ═ 5 ═ ═ |
═ Тепловое сопротивление: ═ кристалл-корпус ═ кристалл-среда |
═ ═ 60╟С/Вт ═ 135╟С/Вт |
|
| ═ 6 ═ | ═ Температура кристалла | ═ +125 ╟С | |
| ═ 7 ═ | ═ Температура окружающей среды ═ ═ ═ ═ ═ ═ ═ ═ | ═ -25...+55╟С ═ |
Общие рекомендации по применению
При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки 235 ± 5 град С, расстояние от корпуса до места пайки на более 1,5 мм, продолжительность пайки не более 6 с. При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхем допускается только с применением теплоотвода.
Для устранения высокочастотной генерации необходимо уменьшать индуктивность проводов, соединяющие вывод 7 с источником питания, использовать только короткие провода, экранировать провод, соединяющий вход микросхемы с генератором сигналов.
Регулировка коэффициента усиления напряжения на низких частотах может быть проведена изменением емкостей конденсаторов С2 и С4. Ослабление усиления на верхней граничной частоте 20кГц - не более 3 дб. Допускается регулировка коэффициента усиления напряжения с помощью изменения сопротивления резистора обратной связи R2 (в пределах 240 Ом┘2,7 кОм) и емкости конденсатора С2. Допустимое значение статического потенциала 200 В.
Литература
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.
Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.
Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /Д. И. Атаев, В. А. Болотников. - Москва: Издательство МЭИ, 1991г. 240 с., ил.